عنوان پایان نامه:CMOS Amplifierدانشکده برق - پروژه کارشناسیقالب بندی: wordتعداد صفحات: 61شح مختصر:فصل اول – مقدمه: در این فصل به توضیحاتی در خصوص فصول مختلف پایان نامه می پردازیم.فصل دوم – کلیات: در این بخش از پایان نامه به توضیحاتی کلی در خصوص تقویت کننده های عملیاتی و تکنولوژی CMOS به کمک مراجع فارسی موجود خواهیم پرداخت .فصل سوم : در این فصل ترجمه ی مقاله اول با عنوان " تقویت کننده هدایت انتقالی 154PSRR(CMOS)با سطح پایین توان و فرکانس 2GHZبا بهره واحد" آورده شده است ، در این مقاله به توضیح یک تقویت کننده عملیاتیCMOS در فرکانس بالا می پردازیم که با تکنولوژی طراحی می شود.فصل چهارم: در این فصل ترجمه ی مقاله دوم با عنوان " تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین، با استفاده از CMOS " آورده شده است ، این مقاله ارائه دهنده تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین است که از المان CMOS می باشد.این تکنیک مداری ولتاژ سطح پایین در آپ امپ سوئیچ شده مورد استفاده قرار می گیرد و مدار نویز سطح پایین منجر به عملکرد تکنیک های خود صفر شونده و برشگر پایدار در منبع ولتاژ سطح پایین می شود.فصل پنجم – نتیجه گیری: در این فصل همان گونه که از عنوان فصل بر می آید، به نتیجه گیری در خصوص موضوع پایان نامه می پردازیم.مراجع: در این بخش نام منابع و مراجعی که در تدوین این پایان نامه استفاده شده را، آورده ایم.ضمائم: و در این قسمت اصل مقالات انگلیسی را قرار داده ایم.فهرست مطالب:چکیدهکلید واژه1.مقدمه2.بیان طرح2.1- توضیح مدار2.2- مدار بافر جریان3. نتیجه شبیه سازی4. نتیجه گیریفصل چهارم"تکنیک هایی برای طراحی مدارات آنالوگ با سطح نویز و ولتاژ پایین، با استفاده از CMOS"عنوان1.مقدمه2.تقویت کننده با سطح نویز پایین2.1.مفهوم اصلی2.2. معماری2.3.نتایج آزمایشگاهی3. ADC تقریبی متوالی3.1. مفهوم کلی برای عملکرد با ولتاژ پایین ADC3.2. معماری3.3.طرح و نتایج آزمایشگاهی مدار4. نتیجه گیری فصل پنجم"نتیجه گیری"خلاصهاتصالات تغذیه تقویت كننده های عملیاتیشكل تقويت كننده هاي عملياتي و قراردادهاولتاژ تفاضلي تقويت كننده هاي عملياتياشباع- نتیجه گیری مقاله ی اول- نتیجه گیری مقاله ی دوممراجعضمائممقالات انگلیسی