چکیدهبرای مدتی بیش از 30 سال، صنعت IC مسیر یکنواخت و پایداری که به طور مداوم در حال کاهش ابزارهای هندسی و افزایش سایزهای کوچک است را دنبال می کند. یک ساختار ورودی که ورودی مواد دوگانه نامیده می شود پیشنهاد شده بود که نقص های کاهش سایزهای کوچک را برطرف می کرد. یک روش تجزیه و تحلیلی دو بعدی از DMG در این پایان نامه پیشنهاد می شود و راه حل معادله پواسون با استفاده از روش انبساط سهموی به دست می آید. یا استفاده از شرایط مرزی؛ توزیع پتانسیل سطحی و پتانسیل میدان الکتریکی برای عملکرد کار متفاوت و طول های کانال به دست می آید. یک ساختار گیت دو ماده ای برای یک ماسفت 4H-SiC به عنوان راهی احتمالی جهت کاهش اثرات کانال کوتاه مانند DIBL، تاثیرات الکترون داغ و میدان های بالای الکتریکی، ارائه شده است. همین طور یک پتانسیل سطحی کلی را بر اساس مدل I-V ولتاژ جریان برای ماسفت ورودی دوگانه نامتقارن آلاینده یا غیرآلاینده، نشان می دهیم. مدل از معادله پواسون I-D شامل تمام دوره های بار مشتق می شود و پتانسیل کانال برای عملکرد نامتقارن ماسفت ورودی دوگانه بر اساس روش تکرار نیوتن-رافسن، حل می شود. یک لایه یا صفحه ی بدون بار وابسته به مدل جریان خروجی بر اساس روش انتگرالی دوگانه پائوسا به عنوان پتانسیل های سطحی ورودی جلو و عقب در منبع و انتهای خروجی فرمول گذاری می شود. مدل توانایی دارد تا به طور واضح استقلال پتانسیل سطحی جلو و عقب و جریان خروجی روی ولتاژهای پایانی، ضخامت های اکسید ورودی، غلظت های آلاینده ی کانال و ضخامت جسم سیلیکون را نشان دهد و هم چنین مدل جریان خروجی در ترکیب با کاهنده ی سد خروجی القایی برای ماسفت های ورودی استوانه ای/احاطه شده ورودی مواد دوگانه (DMG CGT/SGT MOSFET) توسعه یافته است و عبارت برای فرارسانش و رسانش خروجی به دست آمده بودند. آن نشان می دهد که طراحی ورودی ماده دوگانه منتهی به افزایش جریان خروجی و کاهش رسانش خروجی می شود.واژگان کلیدی: ورودی ماده دوگانه، پتانسیل میدان الکتریکی، اثرات کانال کوتاه، ماسفت ورودی دوگانه نامتقارن، کاهش سد القایی درین، ماسفت ورودی استوانه ای/احاطه شده، ماسفت 4H-SiC. فرمت فایل pdfتعداد صفحات 111 فهرست مطالبمقدمه1-1 مقدمه ای بر ترانزیستور1-2 ساختمان داخلی ترانزستور1-3 اولین ترانزیستور1-4 بایاس ترانزسیتور1-5 کاربرد ترانزسیتور1-6 عملکرد ترانزیستور1-7 برتری های ترانزیستور بر لامپ الکترونی1-8 ساختمان ترانزیستور1-9 انواع ترانزیستور1-10 ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده1-11 ترانزیستور اثر میدانی ماس1-12 تاریخچه ی ترانزیستورها1-13 مدارهای CMOS1-14 پیشرفت ماسفت ها2 تجزیه و تحلیل دو بعدی ماسفت های ورودی ماده دوگانه2-1 مقدمه2-2 مدل تجزیه وتحلیلی2-3 نتایج و بحث2-4 محاسبات2-5 اثرهای بهبود یافته کانال کوتاه در ماسفت 4H-SiC با ساختار گیت دو ماده ای2-6 بررسی پتانسیل سطحی بر اساس مدل جریان خروجی برای ماسفت ورودی دوگانه نامتقارن2-7 مدل جریان خروجی تحلیلی برای ماسفت های ورودی استوانه ای/احاطه شده ورودی ماده دوگانه3 جمع بندی و نتیجه گیریپیوست هامنابع و مراجع این پایان نامه به فرمت pdf می باشدبرای دریافت ورد عنوان را ایمیل بزنیدhoopadrayaneh@gmail.com