فهرست مطالب عنوان صفحه فصل اول: مقدمه.. 11-1مقدمه.. 21-2اهمیت موضوع.. 31-3مروریبر مطالعات صورت گرفته جهت کاهش تاثیرات منبع تولید پراکنده 51-4اهداف پایاننامه.. 71-5ساختار پایاننامه.. 9فصل دوم: مروری بر پیشینه تحقیق.. 102-1مقدمه.. 112-2منبع تولید پراکنده.. 112-3میکروگرید.. 132-4محدودکننده جریان خطا.. 162-4-1راکتورهای محدود کننده جریان.. 172-4-2Is-limiter182-4-3محدودکننده جریان خطای حالت جامد.. 202-4-4محدودکننده جریان خطای ابر رسانا.. 232-4-5محدودکننده جریان خطای تک جهته .. 272-5مروری بر کارهای انجام شده.. 27فصل سوم: تشریح روش .. 313-1مقدمه.. 313-2الگوریتم بهینه سازی استاد و دانشجو[43].. 333-2-1مقدمه 333-2-2بهینهسازی بر اساس تدریس - یادگیری.. 343-2-3پیادهسازی TLBO برای بهینهسازی.. 383-2-4تصحیح الگوریتم استاد و دانشجو.. 403-3سیستم حفاظتی.. 403-4شبکه توزیع حلقوی 20 کیلوولت.. 423-5شبکه IEEE 30 باس.. 473-5-1تابع هزینه.. 523-5-2 تاثیرمحدودکننده جریان خطا در ولتاژ میکروگرید................................................54فصل چهارم: نتایج شبیهسازی.. 564-1مقدمه.. 564-2شبکه توزیع حلقوی 20 کیلوولت.. 564-2-1هماهنگی سیستم حفاظت.. 594-2-2بهبود کیفیت توان با به کار بردن محدودکننده جریان خطا تک جهته 644-3شبکه IEEE 30 باس.. 664-3-1هماهنگی حفاظتی.. 674-3-2تاثیر محدودکننده جریان خطا تک جهته بر کیفیت ولتاژ در میکروگرید 74فصل پنجم : نتیجهگیری و پیشنهادات.. 765-1 نتیجهگیری...........................................................................................................................775-2 پیشنهادات............................................................................................................................78منابع و مآخذ................................................................................................................80 فهرست جداول عنوان صفحه جدول 3‑1: پارامترهای مشخصه عملکرد رله بر اساس استاندارد 41جدول 3‑2:اطلاعات شبکه.. 43جدول 3‑3: اطلاعات خطوط شبکه توزیع IEEE 30 باس.. 48جدول 3‑4اطلاعات خطوط میکروگرید.. 49جدول 3‑5اطلاعات منبع تولید پراکنده.. 49جدول 3‑6: اطلاعات ترانسفورماتورهای میکروگرید.. 49جدول 3‑7: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید قبل از نصب DG 55جدول 3‑8: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید قبل از نصب DG و FCL 55جدول 3‑9: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید قبل از نصب DG و UFCL 55جدول 4‑1: تنظمیات رلههای اضافه جریان قبل از اتصال منبع تولید پراکنده.. 57جدول 4‑2: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافهجریان قبل از اتصال DG361جدول 4‑3: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافهجریان بعد از اتصال DG361جدول 4‑4: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3و دوFCL.. 62جدول 4‑5: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3و یکFCL و یک UFCL.. 62جدول 4‑6: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3 و یک UFCL و یکFCL.. 63جدول 4‑7: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3 و دو UFCL.. 63جدول 4‑8: دامنه افت ولتاژ باس شماره3 وباس شماره6 64جدول 4‑9: تنظمیات رلههای اضافه جریان قبل از اتصال منبع تولید پراکنده.. 66جدول 4‑10: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافهجریان قبل از اتصالDG370جدول 4‑11: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG371جدول 4‑12::نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3و دوFCL.. 72جدول 4‑13: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3و دوUFCL.. 73جدول 4‑14: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید بعد از نصب DG 75جدول 4‑15: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید بعد از نصب DG و UFCL 75جدول 4‑16:ولتاژ باسهای حساس میکروگرید بعد از نصب DG و FCL 75 فهرست شکلها عنوان صفحهشکل 2‑1: برخي از اتصالات متداول CLR.. 18شکل 2‑2: يک Is-limiter نمونه و عملکرد آن.. 19شکل 2‑3: ساختار نمونهاي از محدودکننده جريان خطاي حالت جامد. 20شکل 2‑4: ساختار نمونهاي از محدودکننده جريان خطاي حالت جامد 21شکل 2‑5: ساختار نمونهاي از محدودکننده جريان خطاي حالت جامد 22شکل 2‑6: مدار معادل محدود كننده رزونانسي سري-موازي در زمان اتصال کوتاه.. 22شکل 2‑7: ساختار نمونهاي از محدودکننده جريان خطاي حالت جامد 23شکل 2‑8: مدل يک سيم ابررسانا در دماها و جريانهاي مختلف 24شکل 2‑9: تغييرات مقاومت ابررسانا با تغييرات دما.. 24شکل 2‑10: تغييرات مقاومت ابررسانا با تغييرات چگالي جريان 24شکل 2‑11: يک نمونه ساخته شده از محدودکننده جريان خطاي ابررساناي نوع مقاومتي.. 25شکل 2‑12: مدل مداري يک محدودکننده جريان خطاي ابررساناي نوع سلفي.. 25شکل 2‑13: تغييرات امپدانس محدودکننده با تغييرات چگالي جريان 26شکل 2‑14: يک نمونه ساخته شده از محدودکننده جريان خطاي ابر رساناي نوع سلفي.. 26شکل 2‑15: محدودکننده جریان خطا تک جهته.. 27شکل 3‑1: توزیع نمرات دانشآموزان با دو روش تدریس.. 34شکل 3‑2: مدل توزیع نمرات بدست توسط گروه دانشآموزان 35شکل 3‑3: شبکه توزیع 20 کیلو ولت.. 43شکل 3‑4: مشخصه عملکرد رلههای پشتیبان و اولیه.. 45شکل 3‑5: فلوچارت تعیین مقدار مناسب برای محدودکننده جریان خطا 46شکل 3‑6: شبکه توزیع IEEE 30 باس.. 47شکل 3‑7: شبکه میکروگرید.. 48شکل 3‑8: فلوچارت ارتباط دو نرمافزار در تولید دانشآموزان کلاس 51شکل 4‑1: افت ولتاژ در باس شماره3 در صورت رخ دادن خطا در L6 65شکل 4‑2: دامنه ولتاژ باس شماره3 درحالت حضور و عدم حضور محدودکننده.. 65شکل 4‑3: مقادیرتابع هزینه.. 69شکل 4‑4: مجموع امپدانسهای محدودکننده جریان خطا تک جهته 69
جايابی بهينه محدود کنندههای جريان خطا در ميکروگريدها به منظور بهبود تداوم سرويس WORD
فهرست مطالب عنوان صفحه فصل اول: مقدمه.. 11-1مقدمه.. 21-2اهمیت موضوع.. 31-3مروریبر مطالعات صورت گرفته جهت کاهش تاثیرات منبع تولید پراکنده 51-4اهداف پایاننامه.. 71-5ساختار پایاننامه.. 9فصل دوم: مروری بر پیشینه تحقیق.. 102-1مقدمه.. 112-2منبع تولید پراکنده.. 112-3میکروگرید.. 132-4محدودکننده جریان خطا.. 162-4-1راکتورهای محدود کننده جریان.. 172-4-2Is-limiter182-4-3محدودکننده جریان خطای حالت جامد.. 202-4-4محدودکننده جریان خطای ابر رسانا.. 232-4-5محدودکننده جریان خطای تک جهته .. 272-5مروری بر کارهای انجام شده.. 27فصل سوم: تشریح روش .. 313-1مقدمه.. 313-2الگوریتم بهینه سازی استاد و دانشجو[43].. 333-2-1مقدمه 333-2-2بهینهسازی بر اساس تدریس - یادگیری.. 343-2-3پیادهسازی TLBO برای بهینهسازی.. 383-2-4تصحیح الگوریتم استاد و دانشجو.. 403-3سیستم حفاظتی.. 403-4شبکه توزیع حلقوی 20 کیلوولت.. 423-5شبکه IEEE 30 باس.. 473-5-1تابع هزینه.. 523-5-2 تاثیرمحدودکننده جریان خطا در ولتاژ میکروگرید................................................54فصل چهارم: نتایج شبیهسازی.. 564-1مقدمه.. 564-2شبکه توزیع حلقوی 20 کیلوولت.. 564-2-1هماهنگی سیستم حفاظت.. 594-2-2بهبود کیفیت توان با به کار بردن محدودکننده جریان خطا تک جهته 644-3شبکه IEEE 30 باس.. 664-3-1هماهنگی حفاظتی.. 674-3-2تاثیر محدودکننده جریان خطا تک جهته بر کیفیت ولتاژ در میکروگرید 74فصل پنجم : نتیجهگیری و پیشنهادات.. 765-1 نتیجهگیری...........................................................................................................................775-2 پیشنهادات............................................................................................................................78منابع و مآخذ................................................................................................................80 فهرست جداول عنوان صفحه جدول 3‑1: پارامترهای مشخصه عملکرد رله بر اساس استاندارد 41جدول 3‑2:اطلاعات شبکه.. 43جدول 3‑3: اطلاعات خطوط شبکه توزیع IEEE 30 باس.. 48جدول 3‑4اطلاعات خطوط میکروگرید.. 49جدول 3‑5اطلاعات منبع تولید پراکنده.. 49جدول 3‑6: اطلاعات ترانسفورماتورهای میکروگرید.. 49جدول 3‑7: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید قبل از نصب DG 55جدول 3‑8: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید قبل از نصب DG و FCL 55جدول 3‑9: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید قبل از نصب DG و UFCL 55جدول 4‑1: تنظمیات رلههای اضافه جریان قبل از اتصال منبع تولید پراکنده.. 57جدول 4‑2: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافهجریان قبل از اتصال DG361جدول 4‑3: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافهجریان بعد از اتصال DG361جدول 4‑4: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3و دوFCL.. 62جدول 4‑5: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3و یکFCL و یک UFCL.. 62جدول 4‑6: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3 و یک UFCL و یکFCL.. 63جدول 4‑7: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3 و دو UFCL.. 63جدول 4‑8: دامنه افت ولتاژ باس شماره3 وباس شماره6 64جدول 4‑9: تنظمیات رلههای اضافه جریان قبل از اتصال منبع تولید پراکنده.. 66جدول 4‑10: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافهجریان قبل از اتصالDG370جدول 4‑11: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG371جدول 4‑12::نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3و دوFCL.. 72جدول 4‑13: نتایج محاسبه شده برای هماهنگی بین رلهها اضافه جریان بعد از اتصال DG3و دوUFCL.. 73جدول 4‑14: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید بعد از نصب DG 75جدول 4‑15: ولتاژ باسهای حساس میکروگرید بعد از نصب DG و UFCL 75جدول 4‑16:ولتاژ باسهای حساس میکروگرید بعد از نصب DG و FCL 75 فهرست شکلها عنوان صفحهشکل 2‑1: برخي از اتصالات متداول CLR.. 18شکل 2‑2: يک Is-limiter نمونه و عملکرد آن.. 19شکل 2‑3: ساختار نمونهاي از محدودکننده جريان خطاي حالت جامد. 20شکل 2‑4: ساختار نمونهاي از محدودکننده جريان خطاي حالت جامد 21شکل 2‑5: ساختار نمونهاي از محدودکننده جريان خطاي حالت جامد 22شکل 2‑6: مدار معادل محدود كننده رزونانسي سري-موازي در زمان اتصال کوتاه.. 22شکل 2‑7: ساختار نمونهاي از محدودکننده جريان خطاي حالت جامد 23شکل 2‑8: مدل يک سيم ابررسانا در دماها و جريانهاي مختلف 24شکل 2‑9: تغييرات مقاومت ابررسانا با تغييرات دما.. 24شکل 2‑10: تغييرات مقاومت ابررسانا با تغييرات چگالي جريان 24شکل 2‑11: يک نمونه ساخته شده از محدودکننده جريان خطاي ابررساناي نوع مقاومتي.. 25شکل 2‑12: مدل مداري يک محدودکننده جريان خطاي ابررساناي نوع سلفي.. 25شکل 2‑13: تغييرات امپدانس محدودکننده با تغييرات چگالي جريان 26شکل 2‑14: يک نمونه ساخته شده از محدودکننده جريان خطاي ابر رساناي نوع سلفي.. 26شکل 2‑15: محدودکننده جریان خطا تک جهته.. 27شکل 3‑1: توزیع نمرات دانشآموزان با دو روش تدریس.. 34شکل 3‑2: مدل توزیع نمرات بدست توسط گروه دانشآموزان 35شکل 3‑3: شبکه توزیع 20 کیلو ولت.. 43شکل 3‑4: مشخصه عملکرد رلههای پشتیبان و اولیه.. 45شکل 3‑5: فلوچارت تعیین مقدار مناسب برای محدودکننده جریان خطا 46شکل 3‑6: شبکه توزیع IEEE 30 باس.. 47شکل 3‑7: شبکه میکروگرید.. 48شکل 3‑8: فلوچارت ارتباط دو نرمافزار در تولید دانشآموزان کلاس 51شکل 4‑1: افت ولتاژ در باس شماره3 در صورت رخ دادن خطا در L6 65شکل 4‑2: دامنه ولتاژ باس شماره3 درحالت حضور و عدم حضور محدودکننده.. 65شکل 4‑3: مقادیرتابع هزینه.. 69شکل 4‑4: مجموع امپدانسهای محدودکننده جریان خطا تک جهته 69