شرح مختصر : با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965 نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 188 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می¬کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه¬ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله¬های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده¬اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی پرداخته¬ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله¬های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه¬های نسل آینده را خواهند گرفت سرفصل :مقدمهمقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آنمقدمهگونه های مختلف کربن در طبیعتکربن بیشکلالماسگرافیتفلورن و نانو لولههای کربنیترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنیبررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنیساختار الکترونی کربناربیتال p کربنروش وردشیهیبریداسون اربیتالهای کربنساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنیساختار هندسی گرافیتساختار هندسی نانولولههای کربنییاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنییاختهی واحد صفحهی گرافیتیاخته واحد نانولولهی کربنیمحاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنیمولکولهای محدودترازهای انرژی گرافیتترازهای انرژی نانولولهی کربنیچگالی حالات در نانولولهی کربنینمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنیمدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیترابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنیپراکندگی الکترون فونونتابع توزیع الکترونمحاسبه نرخ پراکندگی کلشبیه سازی پراکندگی الکترون – فونونضرورت تعریف روال واگردبحث و نتیجه گیرینرخ پراکندگیتابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکیبررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترونبررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانابررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانابررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانابررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانانتیجه گیریپیشنهاداتضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.منابعچکیده انگلیسی