نوع فایل:PDFتعداد صفحات :9سال انتشار : 1395چکیدهدر این مقاله با استفاده از محاسبه ترازهای انرژی نانوسیم های ZnO ، ابتدا باند انرژی این ساختار را محاسبه کرده و سپس به محاسبه ضریب جذب نور می پردازیم.با در نظر گرفتن طول عمر حامل ها و ارائه مدل مناسب برای این موضوع به محاسبه جریان الکتریکی ناشی از جذب نور پرداختیم.ملاحظه می شود که پهنای باند انرژی برای این ساختار 3/3eV بوده و در ازایتابش 1000mW/cm2 میزان جریان نوری حدود 10 میلی آمپر بدست می اید.این پارامترها به طول نانوسیم ها و نیز قطر انها بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع پرداخته شده است.واژگان کلیدیضریب جذب نوری، نانوسیم های ZnO،آشکارسازهای نوری، ترازهای انرژی